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信息来源:本站 日期:2024-07-23

耗尽型MOSFET为负载提供瞬态浪涌防护、过流保护的应用


应用电路如下



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在上述电路中,仅使用DMD4523E和电阻R1,就能很好的限制流过负载回路的电流大小,为负载回路提供过流保护。该电路特点如下:


● DMD4523E能为负载回路提供瞬态浪涌防护,如果输入端Vin出现瞬态浪涌,流过电路的电流会增加,电阻R1两端的电压VR1也会增加,当VR1增大到等于DMD4523E的阈值电压时,VR1被钳位,即流过电阻R1的电流会被限制,从而实现良好的过电压浪涌防护。


● DMD4523E能为负载提供过流保护,当电路电流异常增大时,流过负载回路的电流同样会因为电阻R1两端的电压被钳位而被限制。通过选取合适的R1阻值,即可限制流过负载回路的最大电流。


● 响应速度快,电路结构简单,成本低。


DMD4523E


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DMD4523E系列产品在容性负载、仪表、通讯设备中用于瞬态浪涌抑制、过流过压保护的应用。


该电路通过选择合适的稳压二极管VD1,即可得到稳定的输出电压Vout。


该系列产品可工作在较高电压下,能为负载回路提供过压保护及瞬态浪涌抑制。当负载出现短路时,为负载提供过流保护。该系列MOSFET响应速度快,电路结构简单。




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