应用电路如下:

图:耗尽型MOSFET搭配LDO给IC供电
电路原理及注意事项如下:
如图所示,仅使用一颗耗尽型MOSFET器件,即可将较高的输入电压转换为稳定的低电压提供给LDO电路输入端,使得低电压等级的LDO也可以工作在输入电压较高的环境下。LDO的输入电压与输出电压的关系满足:Vin=Vout+|VTH|。该电路方案同时可以为LDO和负载提供瞬态浪涌保护。
需要注意的是,由于耗尽型MOSFET本身的功耗限制,当LDO的工作电流较大时,输入电压则不能过高,MOSFET的实际功耗不能超过其额定功耗(应保留一定裕量)。
DMZ1520E能替代INFINEON-BSS169和FAIRCHILD-MMBF4393


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