耗尽型MOSFET在电子设计和工程领域中具有广泛的应用，主要得益于其独特的常开特性、高输入阻抗、低漏电流、可调性和一定的开关速度。

100V耗尽型MOSFET—DMX(S)42C10A具有低泄漏电流和优异的高温稳定性，器件基本参数如下：

非常适合用于过流保护、过压保护等应用，并与运算放大器配合使用。

如图1所示，该电路利用DMX(S)42C10A的亚阈值特性，实现过流保护或恒流输出。电路的最大允许输入电压约为V_IN(MAX) ≈ 100V + V_OUT + V_z.

在电路中，通过电阻R₁的最大电压为：V_R1(MAX) = V_R2(MAX) + V_Z = |V_GS(OFF)| + V_Z,通过R₁的最大电流为：I_R1(MAX) = (V_GS(OFF)(MAX) + V_Z)/R₁,这意味着流过电路的电流将被限制在一定范围内，从而实现过流保护。

该电路也可用作恒流源，在宽电压范围输入的应用中为负载供电。恒流为：I = (V_GS(OFF) + V_Z)/R₁。DMX(S)42C10A的阈值电压V_GS（OFF）参数与齐纳电压V_Z具有相反的温度特性，可以进行自动温度补偿。因此，该电路具有良好的温度特性。

 

如图2所示，该电路既可以作为稳压电路为负载供电，也可以作为过压保护电路为负载提供过压保护。

当输入电压低于电路调节值时，输出电压V_OUT近似等于V_IN。电路稳压输出时，输出电压V_OUT = |V_GS(OFF)| + V_Z。结合DMX(S)42C10A的V_GS（OFF）参数，用户可自行匹配齐纳二极管，实现不同等级的稳压输出或过压保护。电阻R₂的电阻越大，流过齐纳二极管的电流越小。建议R₂ > 500KΩ，这有利于降低齐纳二极管的功耗。

DMX(S)42C10A与LDO配合使用，可直接提高LDO电路的允许输入电压，并为LDO提供暂态浪涌保护。

如图3所示，将DMX(S)42C10A接至LDO的输入端，可以使LDO工作在最大输入电压为100V的电路环境中，有效抑制电路浪涌。LDO的输入输出电压差与耗尽型MOSFET的V_GS（OFF）参数有关，LDO的输入电压VIN与输出电压V_OUT的关系为：V_IN = V_OUT + |V_GS(OFF)|。

DMX(S)42C10A具有极低的漏电流和高温稳定性，非常适合与运算放大器一起使用，为负载提供恒定的电压。

如图4所示，运放输入电压V_i与运放输出电压V_O的关系为V_O = V_i × (1 + R₂/R₁)。当负载确定后，跨负载的工作电压也就确定：V_S = V_O + |V_GS|其中V_GS数值等于相应电流下耗尽型MOSFET的阈值电压V_GS(OFF)，即V_S =V_O + |V_GS(OFF)|。