DMZ(X)1315E /DMZ(X)1315EL是ARK(方舟微)利用特有的UltraVt®专利技术开发的一款具有超高阈值电压的耗尽型功率MOSFET。该系列产品相对于DMZ(X)1015E产品,具有更高的击穿电压,其漏-源击穿电压(BVDSX)超过130V,且具有ESD防护设计,可在-55℃至150℃的温度范围内稳定工作。
DMZ(X)1315E /DMZ(X)1315EL可直接作为高压稳压器使用,利用其(超高)亚阈值特性,可直接将输入的高电压转换为稳定的低电压,给PWM IC等负载供电。
DMZ(X)1315E /DMZ(X)1315EL专为满足IC在宽范围电压输入场景下的供电需求而设计,其简单易用的稳压特性,非常适合用于QC 2.0/3.0/4.0快充、USB Type-C PD快充、USB Type-C直充、具有宽输出电压范围的电源适配器等多种电源系统中,可有效简化PWM IC供电方案,提高电源系统的稳定性。